ＩＴＯターゲット,ITOﾀｰｹﾞｯﾄ,ITO Target

標準グレード

バインダーを使用しない独自成形技術によりカーボンなどの不純物が少ない、高純度でかつ高密度なターゲットをご提供いたします。そのためノジュールの発生が少なく放電安定性に優れています。液晶製品のみならず不純物を嫌う製品にもご利用いただけます。

特徴

・密度：＞7.1g/cm³

・純度：＞99.99%以上

組成、形状

・SnO2含有量は3～10%の範囲でご要望に応じ製造いたします。

・平板、円形、円筒形状、高効率形状など、様々な形状に対応いたします。

用途

・液晶ディスプレー

・タッチパネル

・太陽電池

高透過率 SREグレード

ITOとほぼ同等の低効率や耐久性を持ちながら、近赤外まで広い波長領域の光を透過できる膜が得られます。太陽電池用途に最適なターゲットです。

特徴

・赤外光高透過率

用途

・太陽電池

・レーザ、LED、Vcsel

注：母材はIn2O3で、当社独自の添加物を採用しています。

SREグレード特性比較表

	抵抗率 (μΩcm)	移動度 (cm²/Vs)	キャリア密度 (-/cm³)
SRE	206	95	3.2E20
ITO (SnO2：3wt.%)	275	36	6.6E20
ITO (SnO2：5wt.%)	240	28	9.8E20
ITO (SnO2：10wt.%)	225	21	1.4E21

成膜条件：R.T成膜＋熱処理（200℃）　膜厚：150nm

低温低抵抗 USRグレード

ITOとほぼ同等の低抵抗や耐久性を持ちながら、ITOよりも低いアニール温度で結晶化する膜が得られるターゲットをご提供いたします。熱に弱い有機薄膜等と積層した後のアニールに効果を発揮します。

特徴

・低温（100℃）後加熱で結晶化し低抵抗化

・150℃では10分にて結晶化　

・大気中の熱処理が可能

用途

・フレキシブル基板　　　

・有機層へ成膜

注：母材はIn2O3で、当社独自の添加物を採用しています。

USRグレード特性比較表

	アニール条件	シート抵抗 (Ω/□)	抵抗率 (μΩcm)	移動度 (cm²/Vs)	キャリア密度 (-/cm³)
USR	100℃	77	231	48.2	5.6E20
USR	150℃	64	197	51	6.04E20
ITO (SnO2：3wt%)	100℃	-	-	-	-
ITO (SnO2：3wt%)	150℃	108	331	37.1	5.7E20

－：結晶化せず

高抵抗（HR）グレード

ITOと同等の膜厚でITOよりも高抵抗率を示す膜が得られます。抵抗膜方式のタッチパネルなど、高抵抗率、高透過率が必要な用途に最適です。

特徴

・膜厚

HR1: 15nm(500Ω/□)

HR2: 10nm(500Ω/□)

用途

・高い信頼性が要求されるタッチパネル（車載純正など）

注：母材はIn2O3で、当社独自の添加物を採用しています。

ITO－HRグレード特性比較表

	シート抵抗
	300(Ω/□)	500(Ω/□)
ITO-HR1	18nm	15nm
ITO-HR2	12nm	10nm
ITO	8nm	-

成膜条件：200℃加熱成膜　膜厚：150nm

-：成膜不可

微細組織（MS）グレード

独自の成形、焼成技術により、微細組織のITOターゲットを提供しています。組織が微細なため、ターゲットの強度が高く放電安定性に優れる特徴があります。

特徴

・高密度、小粒径

・強度：＞260MPa

用途

・円筒ターゲットなど強度が要求されるターゲット

標準グレード

MSグレード

MSグレード比較表

	平均粒径(μm)	相対密度(%)	曲げ強度(Mpa)
MSグレード	1～3	99.9	260
標準グレード	4～5	99.9	219